Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164181| Заглавие документа: | Depth Distribution of Defects in Electron Irradiated Diamond |
| Авторы: | Zaitsev, A. M. Moe, K. S. Wang, W. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 141–144. |
| Аннотация: | Detailed measurements of photoluminescence of diamond irradiated in 1 MeV electrons have been performed. It has been found that the depth distribution of radiation defects can be described by contributions of strong defect production by primary electrons and weak secondary irradiation by gamma rays. The depth of the strong defect production is almost two times less that the theoretically predicted propagation of 1 MeV electrons (1.2 mm). The secondary gamma irradiation penetrates through the whole diamond sample of a few millimeter thick. Several new optical centers has been found in irradiated CVD diamond and analyzed. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164181 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.141-144_Zaitsev.pdf | 483,16 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.