Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164181
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorZaitsev, A. M.-
dc.contributor.authorMoe, K. S.-
dc.contributor.authorWang, W.-
dc.date.accessioned2016-12-29T14:12:11Z-
dc.date.available2016-12-29T14:12:11Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 141–144.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/164181-
dc.description.abstractDetailed measurements of photoluminescence of diamond irradiated in 1 MeV electrons have been performed. It has been found that the depth distribution of radiation defects can be described by contributions of strong defect production by primary electrons and weak secondary irradiation by gamma rays. The depth of the strong defect production is almost two times less that the theoretically predicted propagation of 1 MeV electrons (1.2 mm). The secondary gamma irradiation penetrates through the whole diamond sample of a few millimeter thick. Several new optical centers has been found in irradiated CVD diamond and analyzed.ru
dc.description.sponsorshipBelarusian Republican Foundation for Fundamental Research.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleDepth Distribution of Defects in Electron Irradiated Diamondru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
С.141-144_Zaitsev.pdf483,16 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.