Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/165115
Title: Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектам
Authors: Поклонский, Н. А.
Ковалев, А. И.
Вырко, С. А.
Власов, А.Т.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 178–181.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/165115
ISBN: 978-985-553-403-8
Sponsorship: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа поддержана республиканской программой научных исследований «Маттех».
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.178-181_Поклонский_Ковалев.pdf459,28 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.