Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/165115
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorКовалев, А. И.-
dc.contributor.authorВырко, С. А.-
dc.contributor.authorВласов, А.Т.-
dc.date.accessioned2017-01-13T12:03:35Z-
dc.date.available2017-01-13T12:03:35Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 178–181.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/165115-
dc.description.sponsorshipБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа поддержана республиканской программой научных исследований «Маттех».ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleДифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектамru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.178-181_Поклонский_Ковалев.pdf459,28 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.