Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2023 | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2008 | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А. |
| 2010 | Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А. |
| 2020 | Исследовать миграцию электронов и дырок в частично разупорядоченном pn-переходе для разработки элемента Пельтье : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ковалев, А. И.; Деревяго, А. Н.; Аникеев, И. И. |
| 2018 | Исследовать миграцию электронов по точечным дефектам структуры в полупроводниках для разработки выпрямителя прыжкового тока и элемента Пельтье. Подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов». ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» на 2016 - 2020 гг., по заданию 1.33 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ковалев, А. И.; Деревяго, А. Н. |
| 2019 | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 2007 | Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектами | Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т. |
| 2012 | ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В. |
| 2002 | Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импеданса | Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А. |
| 2012 | ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2014 | Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. Горбачук | Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н. |
| 2014 | Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А. |
| 2020 | Радиационностойкие электронные компоненты для космической техники | Богатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лозицкий, Е. Г.; Огородников, Д. А.; Пиловец, С. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2014 | Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ластовский, С. Б.; Скуратов, В. А. |
| 2014 | Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев | Оджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К. |
| 2018 | Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов | Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2010 | Создание аналогов катушек индуктивности на основе кремниевых приборных структур с дефектами кристаллической решетки : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Горбачук, Н. И. | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ермакова, А. В.; Долгая, Т. Н. |
| 2023 | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2003 | Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |