| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2010 | Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
| 2022 | Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами | Поклонский, Н. А.; Усенко, К. В.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б. |
| 2001 | Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В. |
| 2014 | Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах | Ластовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф. |
| ноя-2023 | Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии | Бринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2007 | Использование численного моделирования для интерпретации данных емкостной спектроскопии кремниевых структур, облученных нейтронами | Макаренко, Л. Ф.; Замятин, Н. И.; Ластовский, С. Б. |
| 2014 | Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов Земли | Якушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.; Грабчиков, С. С.; Василенков, Н. А. |
| 2014 | Механизмы и модели радиационного повреждения современных кремниевых детекторов для суперколлайдеров : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Л. Ф. Макаренко | Макаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Латушко, Я. И.; Левчук, E. A. |
| 2018 | Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторах | Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б. |
| 2021 | Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработках | Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И. |
| 2008 | Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами | Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И. |
| 2023 | Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60Сo | Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2012 | ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ | Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И. |
| 2016 | Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типа | Ластовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
| 2023 | Отжиг под обратным смещением кремниевых диодных n+-p-структур, облученных альфа-частицами | Жданович, Д. Н.; Ластовский, С. Б.; Макаренко, Л. Ф.; Маркевич, В. П.; Огородников, Д. А. |
| 2012 | ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2019 | Радиационная стойкость кремниевых детекторов излучения | Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Свито, И. А.; Ластовский, С. Б.; Гиро, А. В.; Шестовский, Д. В. |
| 2019 | Радиационная стойкость кремниевых детекторов излучения | Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Свито, И. А.; Ластовский, С. Б.; Гиро, А. В.; Шестовский, Д. В. |
| 2016 | Радиационное воздействие на параметры счетного триггера | Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И. |
| 2020 | Радиационностойкие электронные компоненты для космической техники | Богатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лозицкий, Е. Г.; Огородников, Д. А.; Пиловец, С. А.; Шпаковский, С. В. |
