Просмотр Авторы Шпаковский, С. В.
Результаты 31 - 39 из 39
< предыдущий
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2003 | Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2022 | Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2021 | Устройство для демонстрации электростатических полей в лекционном эксперименте | Горбачук, Н. И.; Буров, Л. И.; Поклонский, Н. А.; Неверов, Д. С.; Шпаковский, С. В. |
| 2007 | Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнии | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А. |
| 2014 | Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И. |
| 2017 | Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A. |
| 2016 | Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A. |
| 2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
| 2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |