Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/344242
Заглавие документа: Ионная имплантация диазохинонноволачного фоторезиста
Авторы: Бринкевич, Д.И.
Бринкевич, С.Д.
Просолович, В.С.
Цифровой идентификатор автора ORCID: 0000-0003-1661-5272
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2022
Издатель: Российская академия наук, Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН
Библиографическое описание источника: Химия высоких энергий.2022; 56(4): С. 284-292.
Аннотация: Методами ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения, индентирования и измерения спектров отражения исследованы процессы модификации структурных и оптических свойств пленок диазохинонноволачных фоторезистов марок ФП9120 и S1813 на пластинах монокристаллического кремния за областью пробега ионов при имплантации легкими В+, Р+ и тяжелыми ионами Sb+. Показано, что при имплантации легких ионов В+ и Р+ доминирующими являются процессы с участием фоточувствительной компоненты ФР – нафтохинондиазида, которые приводят к образованию кетена и последующим реакциям с его участием. При имплантации тяжелых ионов Sb+ радиационно-индуцированные реакции за слоем внедрения протекают преимущественно с участием макромолекул основного компонента ФР – фенолформальдегидной смолы. Установленные различия обусловлены преобладающим влиянием электронного механизма торможения для легких ионов и ядерного механизма торможения для тяжелых ионов.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/344242
DOI документа: 10.31857/S0023119322040052
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
VysEn2204005Brinkevich.pdf303,84 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.