Ионная имплантация диазохинонноволачного фоторезиста

Abstract

Методами ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения, индентирования и измерения спектров отражения исследованы процессы модификации структурных и оптических свойств пленок диазохинонноволачных фоторезистов марок ФП9120 и S1813 на пластинах монокристаллического кремния за областью пробега ионов при имплантации легкими В+, Р+ и тяжелыми ионами Sb+. Показано, что при имплантации легких ионов В+ и Р+ доминирующими являются процессы с участием фоточувствительной компоненты ФР – нафтохинондиазида, которые приводят к образованию кетена и последующим реакциям с его участием. При имплантации тяжелых ионов Sb+ радиационно-индуцированные реакции за слоем внедрения протекают преимущественно с участием макромолекул основного компонента ФР – фенолформальдегидной смолы. Установленные различия обусловлены преобладающим влиянием электронного механизма торможения для легких ионов и ядерного механизма торможения для тяжелых ионов.