Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522| Title: | Особенности имплантации ионов Р+, В+ и Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии |
| Other Titles: | Features of implantation of Р+, В+ and Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon |
| Authors: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Черный, В. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск, БНТУ |
| Citation: | Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 258–260. |
| Abstract: | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантированные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5×10^14–6×10^17 cм^-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов за областью пробега ионов, обусловленные электронным и ядерным механизмами торможения ионов. |
| Abstract (in another language): | Diazoquinone-novolac photoresist films with 1,8–5,0 μm thick, implanted with B+, P+, and Sb+ ions with an energy of 60 keV in the dose range 5×10^14–6×10^17 cm^-2 were investigated. Various mechanisms of radiation-induced modification of the structural and optical properties of resist films beyond the ion path region, caused by the electronic and nuclear mechanisms of ion inhibition, were considered. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522 |
| ISBN: | 978-985-583-720-7 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Приборостроение_2021_с.258-260.pdf | 381,55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.