Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-12-23T16:55:24Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-23T16:55:24Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 258–260. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-583-720-7 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522 | - |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантированные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5×10^14–6×10^17 cм^-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов за областью пробега ионов, обусловленные электронным и ядерным механизмами торможения ионов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск, БНТУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Особенности имплантации ионов Р+, В+ и Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии | ru |
| dc.title.alternative | Features of implantation of Р+, В+ and Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Diazoquinone-novolac photoresist films with 1,8–5,0 μm thick, implanted with B+, P+, and Sb+ ions with an energy of 60 keV in the dose range 5×10^14–6×10^17 cm^-2 were investigated. Various mechanisms of radiation-induced modification of the structural and optical properties of resist films beyond the ion path region, caused by the electronic and nuclear mechanisms of ion inhibition, were considered. | ru |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Приборостроение_2021_с.258-260.pdf | 381,55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.