Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522
Title: Особенности имплантации ионов Р+, В+ и Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии
Other Titles: Features of implantation of Р+, В+ and Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon
Authors: Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Черный, В. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2021
Publisher: Минск, БНТУ
Citation: Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 258–260.
Abstract: Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантированные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5×10^14–6×10^17 cм^-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов за областью пробега ионов, обусловленные электронным и ядерным механизмами торможения ионов.
Abstract (in another language): Diazoquinone-novolac photoresist films with 1,8–5,0 μm thick, implanted with B+, P+, and Sb+ ions with an energy of 60 keV in the dose range 5×10^14–6×10^17 cm^-2 were investigated. Various mechanisms of radiation-induced modification of the structural and optical properties of resist films beyond the ion path region, caused by the electronic and nuclear mechanisms of ion inhibition, were considered.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273522
ISBN: 978-985-583-720-7
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Приборостроение_2021_с.258-260.pdf381,55 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.