Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте

Abstract

Методами измерения удельной электропроводности и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) исследованы имплантированные ионами бора и фосфора пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 с ориентацией (111) методом центрифугирования. Показано, что в результате имплантации ионов Р+ формируется слой с электронной проводимостью порядка 10^−9 Ом^−1 · см^−1. При дозе имплантации фосфора 6 × 10^15 см^−2 в спектре ЭПР наблюдается узкая, изотропная линия с g-фактором 2.00654 и шириной 3.83 Гс, связанная, вероятнее всего, с образованием феноксильных радикалов. При увеличении дозы имплантации до 1.2 × 10^16 см^−2 в спектре ЭПР регистрируется линия с g-фактором равным 2.00264 и шириной 3.96 Гс, обусловленная неспаренными электронами, делокализованными по π-полисопряженной системе.