Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253686
Заглавие документа: | Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте |
Авторы: | Олешкевич, А. Н. Лапчук, Н. М. Оджаев, В. Б. Карпович, И. А. Просолович, В. С. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, С. Д. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | ФГУП предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр РАН "Издательство "Наука" |
Библиографическое описание источника: | Микроэлектроника. – 2020 – Т. 49, № 1. – С. 58–65. |
Аннотация: | Методами измерения удельной электропроводности и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) исследованы имплантированные ионами бора и фосфора пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 с ориентацией (111) методом центрифугирования. Показано, что в результате имплантации ионов Р+ формируется слой с электронной проводимостью порядка 10^−9 Ом^−1 · см^−1. При дозе имплантации фосфора 6 × 10^15 см^−2 в спектре ЭПР наблюдается узкая, изотропная линия с g-фактором 2.00654 и шириной 3.83 Гс, связанная, вероятнее всего, с образованием феноксильных радикалов. При увеличении дозы имплантации до 1.2 × 10^16 см^−2 в спектре ЭПР регистрируется линия с g-фактором равным 2.00264 и шириной 3.96 Гс, обусловленная неспаренными электронами, делокализованными по π-полисопряженной системе. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/253686 |
ISSN: | 1063-7397 (print) 1608-3415 (online) |
DOI документа: | 10.31857/S0544126919060073 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Олешкевич_Лапчук_Оджаев.pdf | 44,1 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.