Logo BSU

Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Авторы Шестовский, Д. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 5 - 11 из 11 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжигаКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Радиационная стойкость кремниевых детекторов излученияПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Свито, И. А.; Ластовский, С. Б.; Гиро, А. В.; Шестовский, Д. В.
2022Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/SiОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2021Электролюминесценция пленок SiO[2] на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждениемРоманов, И. А.; Ковальчук, Н. С.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Шестовский, Д. В.; Демидович, С. А.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Мавланов, Г. Х.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.