Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со

Abstract

Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов, изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2×10^15 квант/см^2 происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсации первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов.