Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274587
Title: Электролюминесценция пленок SiO[2] на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждением
Other Titles: Electroluminescence of SiO[2] films grown on Si by thermal oxidation and plasma-enhanced chemical vapor deposition / I. A. Romanov, N. S. Kovalchuk, L. A. Vlasukova, I. N. Parkhomenko, V. A. Saladukha, U. A. Pilipenka, D. V. Shestovski, S. A. Demidovich
Authors: Романов, И. А.
Ковальчук, Н. С.
Власукова, Л. А.
Пархоменко, И. Н.
Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Шестовский, Д. В.
Демидович, С. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2021
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Журнал Белорусского государственного университета. Физика. – 2021. – № 3. – С. 26–31
Abstract: Проведено сравнение светоизлучающих свойств при электрическом возбуждении свечения пленок оксида кремния, полученных термическим оксидированием в парах воды при 900 °С и методом плазмохимического осаждения из газовой фазы из смеси SiH[4] + N[2]O при 350 °C. Спектры электролюминесценции сняты в системе электролит – диэлектрик – полупроводник. В спектре электролюминесценции оксидной пленки, полученной термическим окислением, доминирует интенсивная полоса в красной области с максимумом при 1,9 эВ. Сделан вывод о связи данной полосы с наличием в оксиде силанольных групп (Si — OH). В спектре электролюминесценции оксидной пленки, полученной плазмохимическим осаждением, наблюдается мультиполосное свечение в УФ-области. Дополнительные исследования методами ИК-спектроскопии и КРС показали, что модуляция спектра имеет колебательную природу, а не является результатом интерференции. Предположительно, люминесценция в УФ-области обусловлена наличием центров дефицита кислорода, содержащих связи с атомами водорода.
Abstract (in another language): Emission of the silicon oxide films grown on Si by wet thermal oxidation at 900 °С and by plasma-enhanced chemical vapor deposition from the SiH[4] + N[2]O mixture at 350 °С has been compared using electroluminescence. The electroluminescence spectra were recorded in electrolyte – insulator – semiconductor system. The intense band in the red range with a maximum at 1.9 eV dominates the electroluminescence spectrum of the thermal oxide film. It was concluded that this band is related with the existence of silanol groups (Si—OH) in the oxide matrix. Multiband emission in the UV range is observed in the electroluminescence spectrum of the oxide film formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Additional investigations using IR and RS spectroscopy revealed that observed spectrum modulation is of an oscillatory nature and is not the result of interference. Presumably, the luminescence in the UV region is due to the presence of oxygen deficiency centers containing bonds with hydrogen atoms.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274587
ISSN: 2520-2243
Scopus: 10.33581/2520-2243-2021-3-26-31
Sponsorship: Работа выполнена при финансовой поддержке государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (задание 3.8.1, № гос. регистрации 20212595).
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Электролюминесценция пленок SiO2 Романов.pdf619,05 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.