Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274587
Заглавие документа: Электролюминесценция пленок SiO[2] на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждением
Другое заглавие: Electroluminescence of SiO[2] films grown on Si by thermal oxidation and plasma-enhanced chemical vapor deposition / I. A. Romanov, N. S. Kovalchuk, L. A. Vlasukova, I. N. Parkhomenko, V. A. Saladukha, U. A. Pilipenka, D. V. Shestovski, S. A. Demidovich
Авторы: Романов, И. А.
Ковальчук, Н. С.
Власукова, Л. А.
Пархоменко, И. Н.
Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Шестовский, Д. В.
Демидович, С. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2021
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Журнал Белорусского государственного университета. Физика. – 2021. – № 3. – С. 26–31
Аннотация: Проведено сравнение светоизлучающих свойств при электрическом возбуждении свечения пленок оксида кремния, полученных термическим оксидированием в парах воды при 900 °С и методом плазмохимического осаждения из газовой фазы из смеси SiH[4] + N[2]O при 350 °C. Спектры электролюминесценции сняты в системе электролит – диэлектрик – полупроводник. В спектре электролюминесценции оксидной пленки, полученной термическим окислением, доминирует интенсивная полоса в красной области с максимумом при 1,9 эВ. Сделан вывод о связи данной полосы с наличием в оксиде силанольных групп (Si — OH). В спектре электролюминесценции оксидной пленки, полученной плазмохимическим осаждением, наблюдается мультиполосное свечение в УФ-области. Дополнительные исследования методами ИК-спектроскопии и КРС показали, что модуляция спектра имеет колебательную природу, а не является результатом интерференции. Предположительно, люминесценция в УФ-области обусловлена наличием центров дефицита кислорода, содержащих связи с атомами водорода.
Аннотация (на другом языке): Emission of the silicon oxide films grown on Si by wet thermal oxidation at 900 °С and by plasma-enhanced chemical vapor deposition from the SiH[4] + N[2]O mixture at 350 °С has been compared using electroluminescence. The electroluminescence spectra were recorded in electrolyte – insulator – semiconductor system. The intense band in the red range with a maximum at 1.9 eV dominates the electroluminescence spectrum of the thermal oxide film. It was concluded that this band is related with the existence of silanol groups (Si—OH) in the oxide matrix. Multiband emission in the UV range is observed in the electroluminescence spectrum of the oxide film formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Additional investigations using IR and RS spectroscopy revealed that observed spectrum modulation is of an oscillatory nature and is not the result of interference. Presumably, the luminescence in the UV region is due to the presence of oxygen deficiency centers containing bonds with hydrogen atoms.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274587
ISSN: 2520-2243
DOI документа: 10.33581/2520-2243-2021-3-26-31
Финансовая поддержка: Работа выполнена при финансовой поддержке государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (задание 3.8.1, № гос. регистрации 20212595).
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Электролюминесценция пленок SiO2 Романов.pdf619,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.