Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:




Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1-10 из 18.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремнийОджаев, В. Б.; Карпович, В. А.; Просолович, В. С.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2010Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Волобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Парамагнетизм и структурные свойства облученных ионами фосфора пленок полиэтилентерефталатаОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Неверовская, А. В.; Стародубец, Е. Е.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Трансформация спектров отражения диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмыХарченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.