Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2019 | Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроники | Мискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н. |
| 2023 | Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на рабочие характеристики кремниевых биполярных транзисторов | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Ермолаев, А. П.; Шпаковский, С. В.; Богатырёв, Ю. В.; Заяц, Г. М. |
| 2007 | Возможные эффекты захвата быстрых бомбардирующих ионов 86Kr7+ с начальной энергией E(Kr)=394 МэВ и ПВА от них в режим аксиального каналирования при облучении монокристаллического GaAs | Власукова, Л. А.; Дидык, А. Ю.; Хофман, А.; Ювченко, В. Н.; Грачева, Е. А. |
| 1995 | Динамика излучения многомодовых инжекционных лазеров | Манак, И. С.; Ювченко, В. Н. |
| 2016 | Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремния | Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Скуратов, В. А.; Моховиков, М. А.; van Vuuren, A. Janse; Neethling, J. N.; Wendler, E.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Ювченко, В. Н. |
| 2009 | Локальные тепловые процессы в монокри-сталических полупроводниках при ионной имплантации | Урбанович, А. И.; Ювченко, В. Н. |
| 2003 | Методы управления длиной волны лазерного излучения : обзор | Дубовик, В. И.; Манак, И. С.; Ювченко, В. Н. |
| 2017 | Моделирование влияния проникающих излучений на биполярные и МДП-транзисторы | Мискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А. |
| 2017 | Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторы | Мискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А. |
| 2017 | Моделирование воздействия рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП-транзисторов | Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.; Мискевич, С. А. |
| 2023 | Моделирование генерации дополнительных носителей заряда в кремниевых структурах при облучении тяжелыми ионами высоких энергий | Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А.; Ермолаев, А. П. |
| 2019 | Моделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излучения | Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А. |
| 2021 | Моделирование радиационных изменений рабочих характеристик биполярных структур | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М. |
| 2020 | Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах | Мискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М. |
| 2012 | Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния | Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б. |
| 2012 | Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния | Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б. |
| 2003 | Прогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut) | Миронов, А. М.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Партыка, Я.; Ковальски, М. |
| 2016 | Разработка и исследование процессов создания нанопористых материалов на основе структур SiO2/Si, Si3N4/Si для систем микро-, опто- и наноэлектроники методом вытравливания треков : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. Власукова | Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Константинов, С. В. |
| 2015 | Разработка метода высоколокального элементного анализа при атмосферном давлении и физико-технологических режимов трековой нанолитографии на структурах Al2O3/SiO2/Si и Al2O3/Si3N4/Si. Подпрограмма «Наноматериалы и нанотехнологии». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» на 2014-2015 гг. : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ф. Ф. Комаров | Комаров, Ф. Ф.; Камышан, А. С.; Власукова, Л. А.; Романовский, Д. В.; Ювченко, В. Н.; Дзираева, Ю. О. |
| 2010 | Разработка физико-технологических основ формирования канальных структур SiO2 для трековой электроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Власукова, Л. А. | Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Леонтьев, А. В.; Цыбульский, В. В.; Терентьева, О. В.; Дзираева, Ю. О. |