Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208397
Title: Прогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut)
Other Titles: Prediction of the parameters of ion implantation in silicon targets for SOI technology (smart-cut) / A.M. Mironov, A.F. Komarov, V.N. Yuvchenko, J.Partyka, M Kovalski
Authors: Миронов, А. М.
Комаров, А. Ф.
Ювченко, В. Н.
Партыка, Я.
Ковальски, М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 376-378.
Abstract: Разработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологии smart-cut формирования структур «кремний на изоляторе». Модель позволяет прогнозировать значения энергии имплантации заданного типа ионов для получения необходимой толщины верхнего слоя монокристаллического кремния, а также минимальные дозы ионов, достаточные для получения качественного скола.
Abstract (in another language): A model is proposed allowing to optimize parameters of ion implantation necessary for the formation of silicon-on-insulator structures fabricated with the smart-cut process. The model allows to find optimal ion energies and doses in wide energy range for the obtaining necessary thickness of the upper silicon layer with minimal process cost.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208397
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
376-378.pdf2,8 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.