Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208397| Title: | Прогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut) |
| Other Titles: | Prediction of the parameters of ion implantation in silicon targets for SOI technology (smart-cut) / A.M. Mironov, A.F. Komarov, V.N. Yuvchenko, J.Partyka, M Kovalski |
| Authors: | Миронов, А. М. Комаров, А. Ф. Ювченко, В. Н. Партыка, Я. Ковальски, М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 376-378. |
| Abstract: | Разработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологии smart-cut формирования структур «кремний на изоляторе». Модель позволяет прогнозировать значения энергии имплантации заданного типа ионов для получения необходимой толщины верхнего слоя монокристаллического кремния, а также минимальные дозы ионов, достаточные для получения качественного скола. |
| Abstract (in another language): | A model is proposed allowing to optimize parameters of ion implantation necessary for the formation of silicon-on-insulator structures fabricated with the smart-cut process. The model allows to find optimal ion energies and doses in wide energy range for the obtaining necessary thickness of the upper silicon layer with minimal process cost. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208397 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Appears in Collections: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 376-378.pdf | 2,8 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.