Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208397
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМиронов, А. М.-
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.-
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.-
dc.contributor.authorПартыка, Я.-
dc.contributor.authorКовальски, М.-
dc.date.accessioned2018-11-09T08:37:18Z-
dc.date.available2018-11-09T08:37:18Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 376-378.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/208397-
dc.description.abstractРазработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологии smart-cut формирования структур «кремний на изоляторе». Модель позволяет прогнозировать значения энергии имплантации заданного типа ионов для получения необходимой толщины верхнего слоя монокристаллического кремния, а также минимальные дозы ионов, достаточные для получения качественного скола.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПрогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut)ru
dc.title.alternativePrediction of the parameters of ion implantation in silicon targets for SOI technology (smart-cut) / A.M. Mironov, A.F. Komarov, V.N. Yuvchenko, J.Partyka, M Kovalskiru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeA model is proposed allowing to optimize parameters of ion implantation necessary for the formation of silicon-on-insulator structures fabricated with the smart-cut process. The model allows to find optimal ion energies and doses in wide energy range for the obtaining necessary thickness of the upper silicon layer with minimal process cost.ru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
376-378.pdf2,8 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.