Logo BSU

Просмотр Авторы Шестовский, Д. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 35  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2025P-I-N-фотодиоды с геттерами, созданными ионной имплантацией основных легирующих примесейОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.; Вабищевич, Н. В.
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2023Влияние длительной и быстрой термообработок на формирование границы раздела алюминий – поликремнийПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2021Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2021Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
10-мая-2023Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодовКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2025Вольт-амперная характеристика КМОП транзистора при формировании омического контакта алюминий-поликремний с помощью быстрой и длительной термообработкиПилипенко, В. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2025Вольт-амперные характеристики P-I-N-фотодиодов с геттерами, созданными ионной имплантацией сурьмыОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.; Черный, В. В.
2018Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремнияЛемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В.
2022Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжигаКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2024Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработокПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2025Механизм нитридизации слоев диоксида кремния при импульсной фотонной обработке в азотной атмосфереПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2025Монохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигомПонкратов, Д. В.; Пилипенко, В. А.; Стаськов, Н. И.; Петлицкий, А. Н.; Мельников, С. А.; Сотский, А. Б.; Сотская, Л. И.; Шилов, А. В.; Шестовский, Д. В.