Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Ковальчук, Н. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 26  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
10-мая-2023Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодовКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2024Воздействие ультрафиолетового излучения на оптические свойства диэлектриков на основе кремнияПархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Камышан, А. С.; Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.
2024Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификацииОлешкевич, А. Н.; Сернов, С. П.; Просолович, В. С.; Лапчук, Т. М.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Лапчук, М. Ю.
2022Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжигаКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2024Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработокПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2025Механизм нитридизации слоев диоксида кремния при импульсной фотонной обработке в азотной атмосфереПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/SiОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2024Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантациейОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2025Структура и широкополосное ИК-поглощение кремния, гипердопированного имплантацией селена с последующими термообработкамиКомаров, Ф. Ф.; Ковальчук, Н. С.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Харлович, Ю. В.; Роговая, И. С.
2025Токи утечки затвора n-канальных силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азотаОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2025Устойчивые к химическому травлению пленки ICPCVD нитрида кремния с низкими остаточными напряжениямиКовальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.
Результаты 1 - 20 из 26  следующий >