Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификации

Abstract

В работе проводились исследования пластин монокристаллического кремния с ориентацией [100], 𝑝-типа проводимости с основной легирующей примесью бора, удельным сопротивлением 12 Ом·см либо 0,005 Ом·см, с последующей обработкой согласно режиму технологической операции. Цель работы заключалась в изучении методом ЭПР влияния УФ-излучения на стабильность модифицированного ионной имплантацией поверхностного слоя кремния после процесса быстрого термического отжига. Облучение УФ излучением исследуемых образцов показало, что их сопротивление в микроволновом диапазоне измерений и резонансная частота возрастают, а при последующем облучении структур и регистрации спектров ЭПР наблюдается стабилизация резонансной частоты. Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс, высокотемпературный отжиг, имплантация ионов, окисления кремния, быстрые термообработки, УФ-облучение.