Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329546| Заглавие документа: | Токи утечки затвора n-канальных силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азота |
| Другое заглавие: | Gate leakage currents of n-channel power mosfet-transistors additionally implanted with nitrogen ions / V. B. Odzhaev, A. N. Pyatlitski, V. S. Prosolovich, N. S. Kovalchuk, D. V. Shestovsky, Yu. N. Yankovski |
| Авторы: | Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Ковальчук, Н. С. Шестовский, Д. В. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 129-134. |
| Аннотация: | Исследованы электрофизические характеристики силовых n-канальных МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азота. Ионная имплантация ионов азота производилась через защитный оксид толщиной 23 нм энергиями 25 и 40 кэВ дозами 1·1013–1·10 15 см−2. Быстрый термический отжиг проводился при температурах 900 °С или 1000 °С длительностью 15 с. Установлено, что проведение азотирования подзатворного диэлектрика позволяет снизить как величину, так и уровень шумов тока утечки затвора при дозах имплантации (1‒2)·10 13 см−2. Значительное снижение токов утечки затвора обусловлено локализацией атомов азота в процессе быстрой термической обработки в области неcтехиометрической части границы раздела Si/SiO2 и последующей эффективной пассивацией поверхностных состояний. При повышении доз имплантации до 2,5·1014–1·10 15 см−2 наблюдается превышение обоих параметров по сравнению с контрольными образцами вследствие неполного отжига радиационных дефектов, сформированных дополнительной имплантацией ионов азота. Однако проведение трехступенчатого процесса (чередование ионной имплантации и быстрого термического отжига) с аналогичной суммарной дозой имплантации позволяет существенно снизить плотность пострадиационных дефектов |
| Аннотация (на другом языке): | The electrophysical characteristics of power n-channel MOSFETs additionally implanted with nitrogen ions have been investigated. Ion implantation of nitrogen ions was carried out through a 23 nm thick protective oxide at energies of 25 and 40 keV with doses of 1·10 13 –1·10 15 cm−2. Rapid thermal annealing was carried out at temperatures of 900 °C or 1000 °C for a duration of 15 s. It was found that nitriding of the gate dielectric allows to reduce both the magnitude and noise level of the gate leakage current at implantation doses of (1–2)·10 13 cm−2. The significant reduction of leakage currents is due to the localization of nitrogen atoms during rapid thermal treatment in the region of the non-stoichiometric part of the Si/SiO2 interface and subsequent effective passivation of surface states. At increasing the implantation doses up to 2.5·10 14 –1·10 15 cm−2 an excess of both parameters compared to control samples is observed due to incomplete annealing of radiation defects formed by additional implantation of nitrogen ions. However, a three-step process (alternation of ion implantation and rapid thermal annealing) with a similar total implantation dose allows us to significantly reduce the density of post-radiation defects |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329546 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 129-134.pdf | 363,08 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.