Logo BSU

Browsing by Author Горбачук, Н. И.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 85  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2023DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
2023DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
Sep-2007Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углейМунхцэцэг, С.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В.; Горбачук, Н. И.; Лапчук, Н. М.
30-Jun-2020Введение в твердотельную электронику: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 08 Компьютерная физика. № УД-8357/уч.Горбачук, Н. И.
30-Jun-2020Введение в физику наноструктур: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий. № УД-8359/уч.Горбачук, Н. И.
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2011ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ермакова, А. В.
2015Влияние окислительного отжига на проводимость на переменном токе пленок диоксида оловаАдамчук, Д. В.; Ксеневич, В. К.; Горбачук, Н. И.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
30-Jun-2020Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям) направления специальности 1-31 04 01-01 Физика (научно-исследовательская деятельность). № УД-8360/уч.Горбачук, Н. И.
2011Диагностика адсорбированного в углеродных материалах Водорода методом электронного пармагнитного резонанса : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Лапчук, Н. М.Лапчук, Н. М.; Горбачук, Н. И.; Олешкевич, А. Н.; Лапчук, Т. Н.; Поклонская, О. Н.
2011ДИАГНОСТИКА ПЛЕНОК АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТААгеев, С. П.; Горбачук, Н. И.; Дидковский, Я. И.
2013Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2022Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицамиПоклонский, Н. А.; Усенко, К. В.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.
2023Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.