Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28264
Title: ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Ермакова, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2011
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Abstract: Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные высокоэнергетичными (100–250 МэВ) ионами криптона и ксенона. Показано, что при идентичных флюенсах облучения и энергии ионов обратные токи диодов меньше в случае большего расстояния δ между максимумом распределения первичных вакансий и границей p+n-перехода. Рас- положение радиационно-нарушенного слоя в окрестности области пространственного заряда не приводит к кардиналь- ному изменению величины обратных токов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28264
Appears in Collections:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Поклонский-Горбачук.pdf262,61 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.