Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28264| Заглавие документа: | ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Ермакова, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2011 |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Аннотация: | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные высокоэнергетичными (100–250 МэВ) ионами криптона и ксенона. Показано, что при идентичных флюенсах облучения и энергии ионов обратные токи диодов меньше в случае большего расстояния δ между максимумом распределения первичных вакансий и границей p+n-перехода. Рас- положение радиационно-нарушенного слоя в окрестности области пространственного заряда не приводит к кардиналь- ному изменению величины обратных токов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28264 |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Поклонский-Горбачук.pdf | 262,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.