Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28264| Title: | ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Ермакова, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2011 |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Abstract: | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные высокоэнергетичными (100–250 МэВ) ионами криптона и ксенона. Показано, что при идентичных флюенсах облучения и энергии ионов обратные токи диодов меньше в случае большего расстояния δ между максимумом распределения первичных вакансий и границей p+n-перехода. Рас- положение радиационно-нарушенного слоя в окрестности области пространственного заряда не приводит к кардиналь- ному изменению величины обратных токов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28264 |
| Appears in Collections: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Поклонский-Горбачук.pdf | 262,61 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.