Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28264
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
dc.contributor.author | Ермакова, А. В. | - |
dc.date.accessioned | 2013-01-08T08:32:13Z | - |
dc.date.available | 2013-01-08T08:32:13Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28264 | - |
dc.description.abstract | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные высокоэнергетичными (100–250 МэВ) ионами криптона и ксенона. Показано, что при идентичных флюенсах облучения и энергии ионов обратные токи диодов меньше в случае большего расстояния δ между максимумом распределения первичных вакансий и границей p+n-перехода. Рас- положение радиационно-нарушенного слоя в окрестности области пространственного заряда не приводит к кардиналь- ному изменению величины обратных токов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Поклонский-Горбачук.pdf | 262,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.