Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28264
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.-
dc.contributor.authorЕрмакова, А. В.-
dc.date.accessioned2013-01-08T08:32:13Z-
dc.date.available2013-01-08T08:32:13Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.ru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/28264-
dc.description.abstractИсследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные высокоэнергетичными (100–250 МэВ) ионами криптона и ксенона. Показано, что при идентичных флюенсах облучения и энергии ионов обратные токи диодов меньше в случае большего расстояния δ между максимумом распределения первичных вакансий и границей p+n-перехода. Рас- положение радиационно-нарушенного слоя в окрестности области пространственного заряда не приводит к кардиналь- ному изменению величины обратных токов.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Поклонский-Горбачук.pdf262,61 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.