Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 1986 | Влияние анизотропии эффективной массы на высокочастотную прыжковую электропроводность слабо компенсированных полупроводников | Климкович, Б. В.; Поклонский, Н. А.; Стельмах, В. Ф. |
| 2011 | ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ермакова, А. В. |
| 2017 | Влияние облучения быстрыми нейтронами на инфракрасные спектры поглощения CVD-алмазов | Хомич, А. А.; Ральченко, В. Г.; Поклонская, О. Н.; Ковалев, А. И.; Козлова, М. В.; Попович, А. Ф.; Хмельницкий, Р. А.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В. |
| 2010 | Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А. |
| 2019 | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 1999 | Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К | Ластовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т. |
| 2022 | Градоотводы Наркевича-Иодко и поиск дополнительных источников электрической энергии | Гапоненко, О. А.; Поклонский, Н. А.; Самуйлов, В. А. |
| 2022 | Градоотводы Наркевича-Иодко и поиск дополнительных источников электрической энергии | Гапоненко, О. А.; Поклонский, Н. А.; Самуйлов, В. А. |
| 2016 | Графен с дефектами: топология и применение в электромеханике : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский | Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В. |
| 2007 | Дефектообразование в природных алмазах при имплантации ионами водорода | Лапчук, Н. М.; Поклонская, О. Н.; Хомич, А. В.; Хмельницкий, Р. А.; Заведеев, Е. В.; Поклонский, Н. А. |
| 2022 | Дипольный момент электрического конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор» | Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А. |
| 2016 | Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектам | Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т. |
| 2019 | Диффузионно-дрейфовая модель миграции ионов по междоузлиям двумерной решетки | Поклонский, Н. А.; Бурый, А. О.; Абрашина-Жадаева, Н. Г.; Вырко, С. А. |
| 2013 | Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2015 | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2020 | Диэлектрические свойства стабилизированного иттрием диоксида циркония | Адамчук, Д. В.; Ксеневич, В, К.; Поклонский, Н. А.; Lyubchyk, A.; Macutkevic, J.; Banys, J. |
| 2018 | Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A. |
| 2022 | Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля | Томилин, О. Б.; Родионова, Е. В.; Родин, Е. А.; Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Раткевич, С. В. |
| 2022 | Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами | Поклонский, Н. А.; Усенко, К. В.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б. |
| 2023 | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |