Просмотр Авторы Андреев, А. Д.
Результаты 4 - 14 из 14
< предыдущий
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2003 | Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2003 | Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 1996 | Влияние уровня легирования на насыщение тока в n-канальном МОП-ПТ | Андреев, А. Д.; Бельский, А. М.; Валиев, А. А. |
| 1999 | Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТ | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М. |
| мая-2009 | Определение концентрации примеси и дрейфовой скорости электронов в высоколегированном короткоканальном nМОП-транзисторе | Андреев, А. Д.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.; Сперанский, Д. С. |
| 1997 | Особенности ВАХ МОП-ПТ с высоколегированной подложкой | Андреев, А. Д.; Бельский, А. М.; Валиев, А. А. |
| 2000 | Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 1993 | Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электронов | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Дитковский, В. М. |
| 1992 | Устройство для измерения концентрации примесей в МОП-ПТ | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Дитковский, В. М. |
| мая-2007 | Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работы | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 1998 | Эмиссия горячих электронов в подзатворный диэлектрик МОП-ПТ с высоколегированной подложкой | Андреев, А. Д.; Комаров, Ф. Ф.; Михей, В. Н. |