Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/195111| Заглавие документа: | Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора |
| Авторы: | Андреев, А. Д. Борздов, В. М. Галенчик, В. О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика |
| Дата публикации: | 2000 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3. – С. 86-88. |
| Аннотация: | The technique to estimate the total electron charge in the channel of submicron MOSFET is developed. This technique allows to estimate of the total electron charge in the channel both in the linear and saturation modes. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/195111 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2000, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.