Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/195111| Title: | Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора |
| Authors: | Андреев, А. Д. Борздов, В. М. Галенчик, В. О. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика |
| Issue Date: | 2000 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3. – С. 86-88. |
| Abstract: | The technique to estimate the total electron charge in the channel of submicron MOSFET is developed. This technique allows to estimate of the total electron charge in the channel both in the linear and saturation modes. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/195111 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2000, №3 (сентябрь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.