Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/195111Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Галенчик, В. О. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-15T13:30:01Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-15T13:30:01Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3. – С. 86-88. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/195111 | - |
| dc.description.abstract | The technique to estimate the total electron charge in the channel of submicron MOSFET is developed. This technique allows to estimate of the total electron charge in the channel both in the linear and saturation modes. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика | ru |
| dc.title | Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2000, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.