Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226331| Заглавие документа: | Эмиссия горячих электронов в подзатворный диэлектрик МОП-ПТ с высоколегированной подложкой |
| Авторы: | Андреев, А. Д. Комаров, Ф. Ф. Михей, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1998 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 2. – С. 23-25. |
| Аннотация: | Substrate ionization currents are measured and electron mean free path and energy are defined for dopant level substrate 7-1023 m-3 MOSFET. The potential barrier across Si-SiO2 division and emission electron currents are calculated in the range date voltage. Substrate and emission current gradients have contrarious signes. These peculirities may be caused by strengthening of impact ionization. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226331 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1998, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.