Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226331Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Михей, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-08-06T12:53:23Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-06T12:53:23Z | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 2. – С. 23-25. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226331 | - |
| dc.description.abstract | Substrate ionization currents are measured and electron mean free path and energy are defined for dopant level substrate 7-1023 m-3 MOSFET. The potential barrier across Si-SiO2 division and emission electron currents are calculated in the range date voltage. Substrate and emission current gradients have contrarious signes. These peculirities may be caused by strengthening of impact ionization. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Эмиссия горячих электронов в подзатворный диэлектрик МОП-ПТ с высоколегированной подложкой | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1998, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.