Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176| Заглавие документа: | Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электронов |
| Авторы: | Андреев, А. Д. Борздов, В. М. Дитковский, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1993 |
| Издатель: | Минск : Университетское |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1993. – № 3. – С. 27-29. |
| Аннотация: | It is considerated influence of the drain voltage, dopant concentration, mean free path of the hot electrons in the MOSFET channel for temperature interval. It is noted that for conduction of acceleration tests is not necessary to stabilize temperature of the devices |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1993, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.