Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Дитковский, В. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-02-12T12:53:52Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-12T12:53:52Z | - |
| dc.date.issued | 1993 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1993. – № 3. – С. 27-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176 | - |
| dc.description.abstract | It is considerated influence of the drain voltage, dopant concentration, mean free path of the hot electrons in the MOSFET channel for temperature interval. It is noted that for conduction of acceleration tests is not necessary to stabilize temperature of the devices | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Университетское | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электронов | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1993, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.