Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176| Title: | Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электронов |
| Authors: | Андреев, А. Д. Борздов, В. М. Дитковский, В. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1993 |
| Publisher: | Минск : Университетское |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1993. – № 3. – С. 27-29. |
| Abstract: | It is considerated influence of the drain voltage, dopant concentration, mean free path of the hot electrons in the MOSFET channel for temperature interval. It is noted that for conduction of acceleration tests is not necessary to stabilize temperature of the devices |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/256176 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 1993, №3 (сентябрь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.