Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:
Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1-10 из 24.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
1999Использование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодовКоршунов, Ф. П.; Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
1999Применение гамма-излучения для регулирования порогового напряжения мощных МОП-транзисторовКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Кульгачев, В. И.; Дударчик, А. И.; Рубцевич, И. И.; Алиев, А. М,
2003Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2012ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОММакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2012ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2013Влияние электронной подсистемы на протекание междоузельных реакций в облученном кремнииПинтилие, Л. И.; Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.
2011ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОННО- ОБЛУЧЕННЫХ Mo/n-Si-СТРУКТУРАХ ШОТТКИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурахКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Карась, В. И.; Малышев, В. С.; Сорока, С. А.; Шведов, С. В.