ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОННО- ОБЛУЧЕННЫХ Mo/n-Si-СТРУКТУРАХ ШОТТКИ

Abstract

В работе приведены результаты исследования процессов отжига в интервале температур 20-450OС дефек- тов, образующихся в результате электронного облучения с энергией 6 МэВ Mo/n-Si-структур Шоттки. С помощью метода DLTS установлено наличие в запрещенной зоне облученных структур четырех энергетических уровней дефектов со следующими значениями энергии активации и сечения захвата основных носителей E1 – Ec-0,17 эВ и 5,5×⋅10-14 см2; E2 - Ec-0,23 эВ и 5,3×10-15 см2; E3- Ec-0,36 эВ и 5,5×⋅10-16 см2; E4 - Ec-0,42 эВ и 2,2×10-14 см2. Сравнение параметров ловушек с известными из литературы значениями для радиационных дефектов в кристал- лах Cz-Si позволило сделать вывод, что ловушка E1 соответствует акцепторному уровню комплекса вакансия- кислород (V-O) (A-центр), а ловушки E2 и E4 второму и третьему акцепторным уровням дивакансии. Уровень E3, по-видимому, является суперпозицией уровней с непрерывным набором энергий активации, которые относятся к зарядовым состояниям, образующимся в периферийном защитном слое SiO2. Уровень E3 отжигается при темпе- ратуре 120OС и при этом наблюдается полное восстановление значения напряжения пробоя структур при малых дозах облучения. Остальные уровни отжигаются в диапазоне температур 280 - 450OС, причем процесс отжига сопровождается образованием и отжигом двух новых уровней дефектов и наблюдается корреляция исчезновения дефектов с полным восстановлением значения прямого падения напряжения и напряжения пробоя при больших дозах облучения.