Logo BSU

Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 23 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2017Электропроводность на переменном токе пленок диоксида олова, модифицированных вакуумным отжигомКсеневич, В. К.; Горбачук, Н. И.; Адамчук, Д. В.; Wieck, A.
2016Электропроводность гибридных пленок из углеродных и неорганических WS2-нанотрубокКсеневич, В. К.; Горбачук, Н. И.; Хо Вьет; Шуба, М. В.; Кужир, П. П.; Максименко, С. А.; Поддубская, О. Г.; Wieck, A. D.; Zak, A.; Tenne, R.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2013Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
2014Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.