Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49945| Title: | Влияние облучения ионами Xe+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытий |
| Authors: | Михалкович, О. М. Ташлыков, И. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 175-178. |
| Abstract: | В настоящей работе обсуждаются результаты изучения композиционного состава, диффузионных процессов в Si, модифицированным ионно-ассистированным нанесением Ti, Сo покрытий в условиях предварительного облучения ионами ксенона и необлученного. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49945 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков.pdf | 202,37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.