Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49945Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Михалкович, О. М. | - |
| dc.contributor.author | Ташлыков, И. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-24T17:47:51Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-24T17:47:51Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 175-178. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49945 | - |
| dc.description.abstract | В настоящей работе обсуждаются результаты изучения композиционного состава, диффузионных процессов в Si, модифицированным ионно-ассистированным нанесением Ti, Сo покрытий в условиях предварительного облучения ионами ксенона и необлученного. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние облучения ионами Xe+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытий | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков.pdf | 202,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.