Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49945| Заглавие документа: | Влияние облучения ионами Xe+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытий |
| Авторы: | Михалкович, О. М. Ташлыков, И. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 175-178. |
| Аннотация: | В настоящей работе обсуждаются результаты изучения композиционного состава, диффузионных процессов в Si, модифицированным ионно-ассистированным нанесением Ti, Сo покрытий в условиях предварительного облучения ионами ксенона и необлученного. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49945 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков.pdf | 202,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.