Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48882
Title: | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ |
Authors: | Просолович, В. С. Бринкевич, Д. И. Янковский, Ю. Н. Васильев, Ю. Б. Петлицкий, А. Н. Плебанович, В. И. Простомолотов, А. И. Верезуб, Н. А. Меженный, М. В. Резник, В. Я. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2010 |
Publisher: | Издательский центр БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 102-105. |
Abstract: | Рассматривается комплекс вопросов, связанных с оптимизацией процесса быстрой высокотемпературной обработки (БТО) пластин бездислокационного монокристаллического кремния. Приводятся результаты экспериментального изучения методами инфракрасного поглощения, а также оптической и просвечивающей микроскопии дефектной структуры в пластинах, подвергнутых БТО. Анализируется изменение типа, плотности и морфологии дефектов по толщине пластины. С помощью математической модели БТО, описывающей диффузно-рекомбинационные процессы вакансий и межузельных атомов кремния, а также образование вакансионных кластеров, рассчитываются профили концентрации вакансий, плотности и размер вакансионных кластеров по толщине пластины. Распределение суммарной плотности дефектов по толщине пластины сравнивается с расчетным профилем, полученным в данной работе. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48882 |
ISBN: | 978-985-476-885-4 |
Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
В.С. Просолович, Д.И. Бринкевич, Ю.Н. Янковский, Ю.Б. Васильев, А.Н. Петлицкий, В.И. Плебанович, А.И. Простомолотов, Н.А. Верезуб, М.В. Меженный, В.Я. Резник.pdf | 259,01 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.