Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48882
Title: ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ
Authors: Просолович, В. С.
Бринкевич, Д. И.
Янковский, Ю. Н.
Васильев, Ю. Б.
Петлицкий, А. Н.
Плебанович, В. И.
Простомолотов, А. И.
Верезуб, Н. А.
Меженный, М. В.
Резник, В. Я.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 102-105.
Abstract: Рассматривается комплекс вопросов, связанных с оптимизацией процесса быстрой высокотемпературной обработки (БТО) пластин бездислокационного монокристаллического кремния. Приводятся результаты экспериментального изучения методами инфракрасного поглощения, а также оптической и просвечивающей микроскопии дефектной структуры в пластинах, подвергнутых БТО. Анализируется изменение типа, плотности и морфологии дефектов по толщине пластины. С помощью математической модели БТО, описывающей диффузно-рекомбинационные процессы вакансий и межузельных атомов кремния, а также образование вакансионных кластеров, рассчитываются профили концентрации вакансий, плотности и размер вакансионных кластеров по толщине пластины. Распределение суммарной плотности дефектов по толщине пластины сравнивается с расчетным профилем, полученным в данной работе.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48882
ISBN: 978-985-476-885-4
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.