Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48882
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.contributor.authorВасильев, Ю. Б.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.-
dc.contributor.authorПлебанович, В. И.-
dc.contributor.authorПростомолотов, А. И.-
dc.contributor.authorВерезуб, Н. А.-
dc.contributor.authorМеженный, М. В.-
dc.contributor.authorРезник, В. Я.-
dc.date.accessioned2013-10-11T13:39:09Z-
dc.date.available2013-10-11T13:39:09Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 102-105.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/48882-
dc.description.abstractРассматривается комплекс вопросов, связанных с оптимизацией процесса быстрой высокотемпературной обработки (БТО) пластин бездислокационного монокристаллического кремния. Приводятся результаты экспериментального изучения методами инфракрасного поглощения, а также оптической и просвечивающей микроскопии дефектной структуры в пластинах, подвергнутых БТО. Анализируется изменение типа, плотности и морфологии дефектов по толщине пластины. С помощью математической модели БТО, описывающей диффузно-рекомбинационные процессы вакансий и межузельных атомов кремния, а также образование вакансионных кластеров, рассчитываются профили концентрации вакансий, плотности и размер вакансионных кластеров по толщине пластины. Распределение суммарной плотности дефектов по толщине пластины сравнивается с расчетным профилем, полученным в данной работе.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2010. Материалы и структуры современной электроники

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.