Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/344982| Title: | Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B) |
| Authors: | Поклонский, Н.А. Вырко, С.А. Забродский, А.Г. |
| Open Researcher and Contributor ID: | 0000-0002-0799-6950 0000-0002-1145-1099 |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2007 |
| Publisher: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Российская академия наук |
| Citation: | Физика и техника полупроводников. 2007; Т. 41(1): С. 31-37 |
| Abstract: | Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1), (0) и (+1) формируют A<SUP>0</SUP><SUB></SUB>- и A<SUP>+</SUP><SUB></SUB>-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A<SUP>0</SUP><SUB></SUB>-зоне и A<SUP>+</SUP><SUB></SUB>-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии). |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/344982 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.