Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342229| Title: | Механизм адгезионного взаимодействия пленок диазохинон-новолачного фоторезиста с монокристаллическим кремнием |
| Other Titles: | Mechanism of adhesive interaction of diazoquinone-novolac photoresist films with monocrystalline silicon |
| Authors: | Бринкевич, С.Д. Гринюк, Е.В. Бринкевич, Д.И. Свердлов, Р.Л. Просолович, В.С. Петлицкий, А.Н. |
| Open Researcher and Contributor ID: | 0000-0002-3407-3940 |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси |
| Citation: | Журнал прикладной спектроскопии. – 2020. – Т. 87, № 4. – С. 589-594 |
| Abstract: | Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы радиационно-индуцированные процессы, протекающие при имплантации ионов бора и фосфора в пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на кремнии. Установлено, что усиление адгезии резиста к монокристаллическому кремнию обусловлено образованием сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты. |
| Abstract (in another language): | Radiation-induced processes taking place at boron and phosphorus ions implantation in the positive FN9120 diazoquinon-novoloc photoresist films on silicon were studied by the method of IR- Fourier spectroscopy of frustrated total internal reflection. It was established, that strengthening of photoresist adhesion to monocrystalline silicon is caused by the formation of ester linkages between hydroxyl groups on the surface of oxide layer of silicon wafer and carboxylic groups of 1H-inden-3-carbohylic acid. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342229 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Бринкевич3.pdf | 312,66 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.